[实用新型]一种基于ALD技术的薄膜制备装置有效
申请号: | 202220553199.0 | 申请日: | 2022-03-15 |
公开(公告)号: | CN216838174U | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 宋建涛;张建华;丁星伟 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 史云聪 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开一种基于ALD技术的薄膜制备装置,涉及薄膜制备技术领域,包括:芯片基板、反应单元、供水/供臭氧单元、用于盛装不同反应物的若干个反应物容量瓶、内部环境为真空的混气罐,若干个反应物容量瓶分别通过电磁阀与混气罐的进气口相连通,混气罐的出气口通过电磁阀与反应腔室连通,混气罐内设置有用于搅动气流的风机组;本实用新型中在不同反应物进入反应腔室之前,先进入到混气罐内进行混合,并利用风机组的搅动作用提高不同反应物间的混合效果,混合后的混合物进入到反应腔室内并与后续通入的水或臭氧进行反应,在芯片基板上形成掺杂混合薄膜,且形成的掺杂混合薄膜是在同一(原子)层里实现掺杂,提高了薄膜的机械和光电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ald 技术 薄膜 制备 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的