[实用新型]一种基于ALD技术的薄膜制备装置

权利要求书

1.一种基于ALD技术的薄膜制备装置，包括芯片基板、反应单元、供水/供臭氧单元以及用于盛装不同反应物的若干个反应物容量瓶，所述芯片基板设置在所述反应单元的反应腔室内，所述供水/供臭氧单元与所述反应腔室相连通，其特征在于，还包括内部环境为真空的混气罐，若干个所述反应物容量瓶分别通过电磁阀与混气罐的进风口相连通，所述混气罐的出风口通过电磁阀与反应腔室连通，所述混气罐内设置有用于搅动气流的风机组。

2.根据权利要求1所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述风机组包括若干个风扇，若干个风扇均匀环设在所述混气罐的内壁上，所述风扇的出风方向与气流方向相同。

3.根据权利要求1所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述混气罐的外壳内环设有用于使混合物保持更高反应活性的加热壁。

4.根据权利要求3所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述加热壁内可拆卸设置有殷瓦合金内衬。

5.根据权利要求4所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述殷瓦合金内衬上设置有用于检测所述混气罐内真空度或压力情况的真空计。

6.根据权利要求1所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述反应单元包括外反应箱、内反应箱、用于为所述内反应箱加热的加热丝以及用于对所述内反应箱抽真空的机械泵，所述内反应箱设置在外反应箱内部，所述加热丝设置在所述内反应箱与外反应箱之间，所述机械泵与所述内反应箱连通，所述内反应箱的腔室为所述反应腔室。

7.根据权利要求6所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述供水/供臭氧单元为用于盛装水或臭氧的水/臭氧容量瓶，所述水/臭氧容量瓶通过电磁阀与所述内反应箱连通。

8.根据权利要求6所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述薄膜制备装置还包括氮气吹扫单元，所述氮气吹扫单元包括用于盛装氮气的高压氮气容量瓶，所述高压氮气容量瓶通过电磁阀与所述内反应箱连通，且连通管道的出气口对应所述芯片基板设置。

9.根据权利要求8所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述高压氮气容量瓶与所述内反应箱的连通管道上设置流量计。

10.根据权利要求6所述的基于ALD技术的薄膜制备装置，其特征在于，所述内反应箱的外壁设置温度传感器和温度控制器，所述温度传感器与所述温度控制器连接，所述温度控制器与所述加热丝电连接。