[实用新型]一种碳化硅基半导体器件有效
| 申请号： | 202220546862.4 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN217239473U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 何佳;张长沙 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/552;H01L29/06 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种碳化硅基半导体器件，包括：一欧姆接触金属，一碳化硅外延片，所述碳化硅外延片的一侧面连接至所述欧姆接触金属；所述碳化硅外延片上设有至少一个碳化硅沟槽，每个所述碳化硅沟槽的侧壁上设有一屏蔽电场介质层；每个所述碳化硅沟槽上设有肖特基接触金属一；一肖特基接触金属二，所述肖特基接触金属二连接至所述碳化硅外延片的另一侧面；在反向时，可以有效的屏蔽电场，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
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