[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202220237832.5 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN217239434U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王永;吴建刚 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/027;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体主体，包括衬底、埋层以及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的顶表面延伸到埋层中或者外延层中靠近埋层的位置处；第一深沟槽结构，设置在第一沟槽中以将衬底电连接至外延层的顶表面；第二深沟槽隔离结构，设置在第二沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；第三深沟槽隔离结构，设置在第三沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；以及第一掺杂区，靠近第三沟槽的侧壁形成在外延层中并且具有第二掺杂类型，第一掺杂区从外延层的顶表面延伸到埋层以将埋层电连接至外延层的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
