[发明专利]一种重离子注入型集成超结器件及制造方法在审
| 申请号： | 202211736214.6 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115985938A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 章文通;刘雨婷;吴凌颖;郭新凯;孙燕;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种重离子注入型集成超结器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层和第二导电类型埋层，位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层，亚微米超结位于第一导电类型埋层和第二导电类型埋层之间，在埋层注入后采用重离子注入并透过场氧化层形成；本发明基于重离子与轻离子的扩散系数不同，通过在漂移区内引入重离子注入的亚微米超结，能够在器件内部提供低阻通路，降低开态时的比导通电阻，且不受高温推结工艺的影响；此外通过优化热预算，能够形成扩散保护环，降低器件表面电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 集成 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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