[发明专利]一种对光强自适应的雪崩光电二极管及设备在审
申请号: | 202211732281.0 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116053350A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 孙骏逸 | 申请(专利权)人: | 苏州如涵科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0232 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 阚传猛 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及光电探测器件技术领域,特别是涉及一种对光强自适应的雪崩光电二极管及设备。包括:子光敏面,用于基于光电效应将接收到的光信号转化为电信号,子光敏面设有若干个,子光敏面设有独立的子电极;光敏面控制装置,光敏面控制装置设于相邻的两个子光敏面之间,光敏面控制装置同时与子光敏面电连接,用于控制两个子光敏面之间的导通或隔断;光强监测装置,光强监测装置用于监测环境光强获取环境光强信号,光强监测装置与光敏面控制装置信号连接,且光强监测装置被配置为监测环境光强得到环境光强信号,并根据环境光强信号的强弱控制光敏面控制装置的开启或闭合。采用本方法能够提高雪崩光电二极管在不同的测试环境下的测试结果的精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 对光 自适应 雪崩 光电二极管 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的