[发明专利]一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 202211725425.X | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115960609B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 武文东;侯军;赵晓莹;孙昊然 | 申请（专利权）人： | 浙江奥首材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;C09K13/04;C09K13/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 | 代理人： | 崔雪 |
| 地址： | 324012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途，本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：酸2.0‑10.0份；多卤素有机物1.0‑5.0份；2‑氟‑6‑吡啶甲酰氯1.0‑15.0份；表面活性剂0.001‑5.0份；有机溶剂5.0‑30.0份；水10.0‑40.0份。本发明还公开了高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液的制备方法及其在蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层领域的用途。本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液能对金属硅化物进行保护，选择性蚀刻氧化硅层，提高蚀刻均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 蚀刻 表面 氧化 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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