[发明专利]一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途

权利要求书

1.一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：

2.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述酸为无机酸和/或有机酸。

3.根据权利要求2所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述酸为磷酸、亚硫酸、碳酸、亚硝酸、偏铝酸、甲酸、乙酸、辛酸、苯酚中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述多卤素有机物为含有四个碳以上的、H原子多数被卤素替代的单链有机物。

5.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述多卤素有机物为七氟丁酸、全氟-1-丁磺酸、九氟戊酸、九氟戊酰氯、全氟己二酸水合物、八氟-1,6-己二醇、1,6-二氯全氟己烷、1,6-二溴全氟己烷和全氟异庚基碘化物中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为氨基酸型两性表面活性剂。

7.根据权利要求1所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，所述有机溶剂为甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、丙酮和四氢呋喃中的一种或多种。

8.一种权利要求1-7任意一项所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：按照重量配比分别称取各个组分；

步骤2：将水置于容器中，加入有机溶剂，搅拌均匀后，边搅拌边加入多卤素有机物，搅拌均匀后，加入酸，搅拌均匀后，边搅拌边加入2-氟-6-吡啶甲酰氯，搅拌均匀后后，滴加表面活性剂，搅拌均匀后即可得高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液。

9.一种权利要求1-7任意一项所述高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液在蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层领域的用途。

10.根据权利要求9所述用途，其特征在于，所述蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层的方法如下：

s1：将20-35℃高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液喷淋在晶圆表面，进行蚀刻；

s2：待蚀刻结束后，用异丙醇冲洗晶圆表面；

s3：用超纯水冲洗晶圆表面，即完成晶圆表面氧化硅层的蚀刻处理。