[发明专利]槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211697847.0 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115799310A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 徐航;杨雅芬;张卫 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 吴浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中槽型绝缘栅双极型晶体管包括N型硅衬底、第一屏蔽栅、第二屏蔽栅、控制栅、发射极、正面P型阱区、N型载流子存储层和高掺杂的载流子存储层；N型硅衬底上开设有沟槽，正面P型阱区、N型载流子存储层和发射极分别位于沟槽的两侧，高掺杂的载流子存储层在左侧，且发射极位于正面P型阱区的上方，正面P型阱区位于N型载流子存储层的上方；第一屏蔽栅、第二屏蔽栅和控制栅设于沟槽内，且第一屏蔽栅和控制栅并排设置，第二屏蔽栅位于第一屏蔽栅和控制栅的底部；所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅与所述发射极电势相等。本发明消除集电极对沟槽栅的影响，降低了栅电荷，改善动态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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