[发明专利]一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法在审
| 申请号： | 202211665348.3 | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116313823A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林智杰;张南菊;常发;王羽;戴品强;傅建树 | 申请（专利权）人： | 福建闽航电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;G02B6/42;H01L23/04 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 范小清 |
| 地址： | 353000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法，所述方法包括有准备生瓷片，生瓷片依次分为为底片大板、中片大板和上片大板；分别对上片大板和中片大板进行冲孔处理；在第一中片单元上印刷金属线路；对第二中片单元进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层；将经过步骤S3处理的第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理；将第一中片单元和瓷片层通过定型层压板压合成中片大板；按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体；将坯体分切成m个坯体单元；对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。通过本发明的制造方法，能够制造出带V型腔体的陶瓷外壳，从而增加了光耦合器的受光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 外壳 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
