[发明专利]集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法

摘要

本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS工艺流程，嵌入选择性硅、锗外延制作硅、锗探测器，并利用CMOS源漏区掺杂充当晶硅太阳能电池的电极接触区掺杂，通过金属连线连接电极。硅太阳能电池为探测器和CMOS电路提供电源，探测器将吸收的光信号转变为电信号，经过CMOS电路放大和处理信号，实现完整的光接收器功能，并独立于外部电源工作。本发明解决了目前集成太阳能电池和/或CMOS电路的光电探测器制造难度大、成本高的问题。