[发明专利]一种高频有机平面结构整流二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211654225.X | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116133440A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 何道伟;曾俊鹏;王欣然;施毅;谢嘉诚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H10K10/20 | 分类号： | H10K10/20;H10K10/46;H10K10/84;H10K10/82;H10K10/88;H10K71/20;H10K71/60 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王云 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 有机 平面 结构 整流二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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