[发明专利]GaN器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211654188.2 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115810661A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李京波;孙一鸣;王小周 | 申请（专利权）人： | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 朱林军 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本申请公开了GaN器件及其制备方法，其中，GaN器件包括：GaN衬底和外延片，外延片设置在GaN衬底的第一表面；栅介质层窗口，位于外延片上；CaF |
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| 搜索关键词： | gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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