[发明专利]具有防高光溢出结构的像素单元及图像传感器

摘要

本公开涉及具有防高光溢出结构的像素单元及图像传感器。一种像素单元形成在具有前表面的半导体衬底上。所述像素单元包含光电二极管、浮动扩散区及转移栅极。所述光电二极管安置在所述半导体衬底中。所述浮动扩散区包含安置在所述半导体衬底中的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区从所述前表面延伸到所述半导体衬底中的第一结深度。所述转移栅极经配置以选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区，从而控制所述光电二极管与所述浮动扩散区之间的电荷转移。所述转移栅极包含安置在所述半导体衬底的所述前表面上的平面栅极电极及一对垂直栅极电极。每一垂直栅极电极从所述平面栅极电极延伸到所述半导体衬底中到达栅极深度。所述第一结深度大于所述栅极深度。