[发明专利]JBS的元胞结构及对应的碳化硅器件有效
申请号: | 202211629633.X | 申请日: | 2022-12-19 |
公开(公告)号: | CN115621329B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 李翔;卓泽俊;熊晶晶;阮永斌 | 申请(专利权)人: | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06 |
代理公司: | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人: | 王攀 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种JBS的元胞结构,其包括第一P+元胞以及第二P+元胞,相邻的第一P+元胞之间的边缘距离等于第一P+元胞对应耗尽层区域的最大宽度的2倍,相邻的多个耗尽层区域之间形成一漏电区域;第二P+元胞设置在每个漏电区域中部,第二P+元胞的耗尽层区域覆盖对应的漏电区域;其中第二P+元胞的元胞直径小于第一P+元胞的元胞直径。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明可有效的减少离子注入区域的面积且保证二极管反偏时,耗尽层区域对肖特基区域的完全覆盖,避免了反向漏电流的产生。 | ||
搜索关键词: | jbs 结构 对应 碳化硅 器件 | ||
【主权项】:
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