[发明专利]一种VDMOS器件在审
| 申请号： | 202211624967.8 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115939215A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了VDMOS器件，包括：衬底层；外延层，生长于衬底层的一侧；P‑body层，设置于外延层远离衬底层的一侧；欧姆接触层，设置于P‑body层远离外延层的一侧；源极电子层，与欧姆接触层并列，设置于P‑body层远离外延层的一侧；第一金属层，覆盖欧姆接触层与源极电子层；沟道，设置于第一金属层与外延层之间，沟道靠近源极电子层远离欧姆接触层的一侧；栅极多晶硅层，设置于沟道；源极多晶硅层，设置于沟道内栅极多晶硅层远离第一金属层的一侧；源极多晶硅层的尾端通过第二金属层与第一金属层连接，第二金属层为肖特基势垒金属；栅极多晶硅层的尾端通过第三隔离层与源极多晶硅层的尾端隔离。采用本发明，使用新的隔离结构，提高了抗ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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