[发明专利]具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211615308.8 申请日: 2022-12-15
公开(公告)号: CN115831619A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 徐友龙;赵吉平 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01G9/055 分类号: H01G9/055;H01G9/042
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 安彦彦
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开具有超高电容密度的箔式钽电解电容器阳极及其制备方法,以脉冲直流电源为能量源,以预处理后的钽箔作为阳极,以石墨电极或惰性金属作为阴极,阳极与阴极均与脉冲直流电源相连接,置于腐蚀液中,进行电化学腐蚀;将刻蚀箔在磷酸水溶液中进行阳极氧化,得到腐蚀钽箔。本发明所提出的电化学刻蚀工艺真正实现了高比容刻蚀钽阳极箔的制备。对于耐压为8.3V的阳极箔,其比容高达570nF/mm2,厚度不到30μm,仅为传统烧结钽电容的1/10,若以片式化封装,其尺寸甚至可以降低到100μm以下,几乎能够满足技术上最严格的埋入式电容器的要求。若以卷绕式封装,其最大容量完全可以满足90%以上的电力系统的需求。
搜索关键词: 具有 超高 电容 密度 箔式钽 电解电容器 阳极 及其 制备 方法
【主权项】:
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