[发明专利]高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构在审
| 申请号： | 202211613330.9 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115732540A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 龙艳娥;李金会;王宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市卓瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市共赋知识产权代理事务所(普通合伙) 44897 | 代理人： | 左永飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区民治*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构，包括形成在衬底上的结终端扩展区，结终端扩展区环绕中部有源区设置，结终端扩展区包括靠近中部有源区交替设置的刻蚀环与刻蚀沟槽，每相邻两个刻蚀环之间的宽度比值由该两个刻蚀环与中部有源区的距离计算确定，结终端扩展区由内侧向外侧的刻蚀环的宽度多元变化，并且结终端扩展区由内侧向外侧的刻蚀沟槽的宽度多元变化。本申请可以使得结终端区具有更加多的冗余窗口，从而更加有利于对掺杂的影响，可以更好的配置功率器件的阻断电压，使得其不容易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 碳化硅 功率 器件 终端 扩展 结构 | ||
【主权项】：
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