[发明专利]外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法在审
| 申请号： | 202211607532.2 | 申请日： | 2022-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN115996623A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;李天浩;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;李泽辉;郭壮;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N39/00 | 分类号： | H10N39/00;H01L21/82;H01L21/02;H03H9/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种外延级氮化物器件单片异构集成电路，主要解决现有声表面波器件工作频段不易调控且难与高电子迁移率晶体管外延异构集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、极化层，叉指电极与其下方对应的极化层构成氮化物声表面波器件；源、漏电极与沟道层、插入层、势垒层、栅电极及栅电极下方对应的极化层构成氮化物高电子迁移率晶体管；该声表面波器件位于晶体管栅源导通区，两者共用极化层且通过叉指电极与栅电极和源电极之间填充的钝化层隔离。本发明通过调节高电子迁移率晶体管二维电子气浓度来调控声表面波器件的工作频段和带宽，易实现氮化物器件单片外延集成和异构铁电集成，可用于滤波‑微波射频前端系统。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 氮化物 器件 单片 集成电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211607532.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
