[发明专利]一种金刚石场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211600276.4 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115863436A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王玮;梁月松;牛田林;熊义承;陈根强;冯永昌;方培杨;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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