[发明专利]载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211599409.0 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115995483A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王玮;牛田林;梁月松;陈根强;方培杨;冯永昌;熊义承;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/78;H01L29/16;H01L29/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 迁移率 增强 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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