[发明专利]一种用于减小功率半导体器件栅极电压过冲的方法和装置有效
| 申请号： | 202211597970.5 | 申请日： | 2022-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN115622546B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;高博 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/041;H03K17/687;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 朱泽义 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于减小功率半导体器件栅极电压过冲的方法，该方法在开通时刻调节推挽电路开关管Q1开关时序，在输入信号由低电平跳变为高电平的时刻，先短暂打开开关管Q1，然后短暂关闭开关管Q1，将超出部分的正电压拉回，最后再次打开开关管Q1，在不减小开关速度的前提下，抑制栅极电压在开通时刻产生的正电压过冲。本申请通过控制推挽电路开关管的开关时序实现功率管栅极电压过冲抑制，相比于传统方法，本申请能够实现更快的开关速度，因此减小了开关损耗，提升了系统的电能转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减小 功率 半导体器件 栅极 电压 方法 装置 | ||
【主权项】：
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