[发明专利]外延基座、外延生长设备及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211597733.9 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115938904A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹共柏;潘帅 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 尤彩红 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延基座、外延生长设备及半导体器件的制造方法，所述外延基座包括所述外延基座包括承载部，所述承载部上设置有多个用于安装顶升销的顶升销孔，每个所述顶升销孔周围设置有至少一个贯穿所述承载部的辅助通孔。通过在外延基座的承载部上的顶升销孔周围设置多个不同大小和/或不同分布方式贯穿所述外延基座的辅助通孔，使得顶升销孔附近的物理特性与周围辅助打孔区域物理特性接近，从而改善或消除顶升销孔处晶圆的外延层膜厚异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 基座 生长 设备 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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