[发明专利]基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器及调制方法在审
申请号: | 202211560510.5 | 申请日: | 2022-12-07 |
公开(公告)号: | CN115639698A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 张磊;王真真;王海涛;储涛 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02F1/00 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 戴莉 |
地址: | 311121 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器,所述调制器包括微环结构,直波导结构和超材料结构,所述微环结构为环形波导,所述直波导结构位于所述微环结构外侧,所述超材料结构由相变材料硫化锑制备,位于所述微环结构上方,并与所述微环结构构成发挥调制作用的复合区,通过调整所述超材料结构的物理状态,激发硫化锑材料的相变,从而改变输入光在波导中的传输状态,实现信号的调制。本发明具有折射率调节范围更大,结构更紧凑的优点,同时仅需在调制状态切换时提供能量,极大地降低了系统的能耗,可应用于高速、低功耗的硅基光电子器件大规模集成,如超高速共封装光学等。 | ||
搜索关键词: | 基于 相变 材料 硫化锑 波段 波导 调制器 调制 方法 | ||
【主权项】:
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