[发明专利]一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法

摘要

发明名称：一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法摘要：本发明公开了一种两步法制备厘米级碳点/二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明第一步通过化学气相沉积法制备厘米级结构可控的二硫化钼薄膜，第二步通过真空退火直接在二硫化钼薄膜上沉积碳点制备得到厘米级碳点/二硫化钼薄膜。本发明提供的方法可以直接合成多种结构的尺寸可控的碳点/二硫化钼薄膜。本发明制备的碳点/二硫化钼薄膜，丰富了二硫化钼的物理化学特性，拓展了其在光电、电化学催化等领域上的应用。