[发明专利]一种面向存内计算的存储器阻值校准方法在审

专利信息
申请号: 202211554400.8 申请日: 2022-12-06
公开(公告)号: CN115841841A 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 蔡一茂;凌尧天;王宗巍;高一;黄如 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G11C29/02 分类号: G11C29/02;G11C29/50;G11C11/4078
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种面向存内计算的存储器阻值校准方法,属于半导体和存内计算技术领域。该方法利用存内计算网络的特性,针对新型存储器器件的两种不同电阻变化特性,设置参考列器件全部为HRS或LRS时,在工作列输出电流中减去大部分来自于HRS或LRS的误差电流,得到校正电流,再通过参考电阻最终输出矫正后的电压信号。利用本发明提供的方法,将不同阻值‑温度关系的新型存储器交叉点阵中器件的阻值得到矫正,从而保障基于新型存储器的存内计算芯片在广泛环境温度下的性能。
搜索关键词: 一种 面向 计算 存储器 阻值 校准 方法
【主权项】:
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