[发明专利]用于形成半导体器件结构的方法在审
| 申请号： | 202211550439.2 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN116313800A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | B·布里格斯;曾文德;J·博梅尔斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;蔡悦 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件结构的方法，该方法包括：在基板上形成层堆叠，层堆叠包括第一半导体材料的牺牲层和第二半导体材料的沟道层，沟道层与牺牲层相交替；在层堆叠上形成多个平行且规则地间隔开的芯线；在芯线的侧表面上形成间隔物线，其中间隔物线的宽度使得在形成于相邻芯线上的间隔物线之间形成间隙；通过在使用芯线和间隔物线作为蚀刻掩模的同时蚀刻层堆叠，来形成延伸穿过层堆叠的第一沟槽；通过用绝缘壁材料填充第一沟槽和间隙，来在第一沟槽和间隙中形成绝缘壁；相对于间隔物线和绝缘壁选择性地去除芯线；以及通过在使用间隔物线和绝缘壁作为蚀刻掩模的同时蚀刻层堆叠，来形成延伸穿过层堆叠的第二沟槽，从而形成多对鳍结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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