[发明专利]一种硅基微环光电探测器在审
| 申请号： | 202211485089.6 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115939231A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 叶楠;胡志涛;陈昌;王兆璁;赵金杨;王柱天;欧阳越华;程强 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/09;A61B5/145;A61B5/1455 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 唐斌 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微环 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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