[发明专利]一种具有双栅的RC-IGBT在审
| 申请号： | 202211453932.2 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115832038A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;喻明康;高崇兵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有双栅的RC‑IGBT，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，在集电极区增加副控沟槽栅，并向背面注入结构添加P型集电极基区，且N+集电极区不与N型缓冲区直接相连，而是当副控栅开启电子沟道时与缓冲区相连，因此可以完全控制器件工作状态。当主控栅打开、副控栅关闭时，器件正向导通，此时器件不会有单极导通状态，从而消除常规RC‑IGBT固有的snapback现象。当主控栅与副控栅同时关闭时，器件工作在阻断状态，此时器件不仅可以正向阻断，也可反向阻断。当主控栅关闭、副控栅打开时，器件反向导通，此时电流均匀分布，反向导通压降减小，二极管特性得到显著优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 rc igbt | ||
【主权项】：
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