[发明专利]一种高耐压的超结IGBT结构在审
| 申请号： | 202211453906.X | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115832037A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;喻明康;高崇兵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高耐压的超结IGBT结构，该结构在常规超结IGBT结构的基础上：引入P型浮空区结构，并对第一沟槽栅进行分离式设计，同时添加第二沟槽栅，并使俩沟槽栅之间的区域与发射极相连。由于第一沟槽栅附近P柱通过俩沟槽栅之间的区域与发射极短路，同时第一沟槽栅下部栅使栅底N柱反型形成P型环，屏蔽栅底的横向电场，使第一沟槽栅底电场强度较低，实现器件高耐压。在器件导通阶段，两个沟槽栅之间的P型耗尽区完全耗尽并反型，形成空穴势垒区，阻止空穴经由此处被发射极提取，增强电导调制效应，从而降低导通压降。在器件关断阶段，P型耗尽区逐渐恢复到准中性区，形成空穴抽取路径，加快器件关断，降低关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 igbt 结构 | ||
【主权项】：
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