[发明专利]C5在审

专利信息
申请号: 202211448024.4 申请日: 2022-11-18
公开(公告)号: CN116536747A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 赵三根;罗军华;李敏娟 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B7/00 分类号: C30B7/00;C30B29/54
代理公司: 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 代理人: 方金芝;黄秀婷
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及C5H14N2I4化合物、双折射晶体及其制法和用途。它的分子量为610,三斜晶系,空间群为P‑1,晶胞参数为α=90.960(2)°,β=96.896(2)°,γ=103.282(2)°,Z=2。具有操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短等优点;所获得的晶体物理化学性能稳定等优点;该晶体可用于制作双折射光学器件;本发明双折射光学晶体制作的双折射光学器件在光通信和激光工业中对偏振光的调制起到重要作用。
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  • 2020-03-11 - 2020-11-03 - C30B7/00
  • 本发明公开了一种阴极辊研磨后的保护方法、装置、应用;属于电解铜箔生产技术领域;其技术要点在于:S1:将阴极辊从生箔机吊起,移至研磨机,进行研磨;S2:研磨后,采用纯水清洗:研磨机对阴极辊研磨结束后,采用纯水对阴极辊表面进行清洗;S3:停止清洗后,阴极辊继续转动1‑10分钟;S4:在阴极辊表面构造保护层:S4‑1,阴极辊表面吹干后,在阴极辊面上均匀喷淋硫酸铜溶液;S4‑2,待阴极辊的表面均有硫酸铜溶液时,停止硫酸铜溶液喷淋;S4‑3,待阴极辊表面形成硫酸铜晶体,阴极辊辊面保护完成。采用本申请的一种阴极辊研磨后的保护方法、装置、应用,保护研磨后的阴极辊辊面从而保证电解铜箔的各项性能。
  • 一种高效制备有机-无机杂化钙钛矿籽晶的方法-201910361384.2
  • 蔡婷婷;毕婷;杨云 - 吕梁学院
  • 2019-04-30 - 2019-10-11 - C30B7/00
  • 本发明涉及晶体学领域,具体涉及一种高效制备有机‑无机杂化钙钛矿籽晶的方法,所要解决的技术问题是提供一种采用氢离子诱导生长制备有机‑无机杂化钙钛矿籽晶的方法,本方法可以高效的制备出高质量的籽晶,同时易于控制,制得的籽晶便于储存;采用的技术方案为:采用逆温结晶法制备钙钛矿籽晶,调节钙钛矿单晶生长液中氢离子浓度,降低pH值0.5‑4,以达到诱导钙钛矿籽晶快速生长的目的,本发明将酸引入到钙钛矿前驱体生长液中,并通过调节pH的范围来控制钙钛矿籽晶的形成时间和数量,大大缩短了籽晶生长的时间。
  • 一种晶体同步培养装置-201822110524.2
  • 程永现;吴泽宏 - 深圳大学
  • 2018-12-14 - 2019-08-23 - C30B7/00
  • 本实用新型适用于实验仪器领域,提供了一种晶体同步培养装置,该晶体同步培养装置包括孔板箱和晶体培养管,其中,孔板箱包括箱盖和设置有至少一个插孔的孔板,每个插孔可供一只晶体培养管插入。利用本实用新型提供的晶体同步培养装置可使得至少一份晶体同时进行培养,提高了晶体培养成功的效率。
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