[发明专利]一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置在审
| 申请号： | 202211436103.3 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115859896A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 周洁云;陈智卫;贡顶;王亮;彭惠薪;周群博 | 申请（专利权）人： | 苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;朱炎 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置。该方法包括：对集成电路版图每个关键层进行光学邻近效应修正，采用各个光刻仿真模型对修正数据进行光刻仿真并确定光刻热点位置，获取各个仿真轮廓上光刻热点位置对应的关键尺寸，对所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，从累积概率分布函数上获取最小预设关键尺寸的失效概率，再结合所有光刻热点位置对应的失效概率确定修正数据的设计良率，根据各个修正数据的设计良率，确定集成电路版图的设计良率。整个方法通过光刻模型分析光刻工艺波动引起的设计良率变化，通过光刻热点统计信息，分析集成电路器件的失效概率，从而可以提前发现设计问题，进而提高晶圆生产中的制造良率，提升制程稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 版图 设计 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
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