[发明专利]一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置

权利要求书

1.一种集成电路版图的设计良率确定方法，其特征在于，包括：

获取集成电路版图文件以及对应工艺节点下的光刻工艺的计算光刻模型；所述集成电路版图文件包括至少一个关键层，所述计算光刻模型包括至少一个关键层模型，所述关键层模型用于对匹配的关键层进行所述光刻工艺的建模和仿真；

针对任一关键层，对所述关键层进行光学邻近效应修正，得到修正数据；

利用所述关键层匹配的各个计算光刻仿真模型，分别对所述修正数据进行光刻仿真，获取仿真成像平面上形成的各个仿真轮廓，所述各个计算光刻仿真模型是基于对所述关键层匹配的关键层模型进行工艺波动模拟所生成的；

从各个仿真轮廓上检测光刻热点位置，所述光刻热点位置为小于最小预设关键尺寸的关键尺寸所对应的位置，所述关键尺寸为所述仿真轮廓的最小轮廓间距；

针对任一光刻热点位置，获取各个仿真轮廓中所述光刻热点位置所对应的关键尺寸；

对所述光刻热点位置所对应的所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数，所述累积概率分布函数用于表示各个关键尺寸的失效概率；

基于所述光刻热点位置的累积概率分布函数，获取最小预设关键尺寸的失效概率；

基于各个光刻热点位置对应的最小预设关键尺寸的失效概率，得到所述关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率；

基于各个关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率，得到所述集成电路版图文件针对所述光刻工艺的设计良率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从各个仿真轮廓上检测光刻热点位置，包括：

针对任一仿真轮廓，利用预设工具检测所述仿真轮廓上各个位置的轮廓间距；

从各个位置的轮廓间距中确定最小轮廓间距，并将所述最小轮廓间距确定为关键尺寸；

如果所述关键尺寸小于所述最小预设关键尺寸，则将所述关键尺寸对应的位置确定为光刻热点位置。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻热点位置所对应的所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数，包括：

根据所述光刻热点位置所对应的所有关键尺寸，利用三西格玛准则进行拟合，获取韦伯分布的比例参数和形状参数；

根据所述韦伯分布的比例参数和形状参数，获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述韦伯分布的比例参数和形状参数，获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数，包括：

通过以下公式获取所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数和累积概率分布函数：

/

其中，f(CD；λ，k)为所述光刻热点位置的韦伯概率分布函数，f(CD；λ，k)为所述光刻热点位置的累积概率分布函数，CD为关键尺寸，λ为比例参数，k为形状参数。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于各个光刻热点位置对应的最小预设关键尺寸的失效概率，得到所述关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率，包括：

通过以下公式确定所述关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率：

其中，Y(layer)为所述关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率，i为光刻热点位置的索引，为第i个光刻热点位置对应的最小预设关键尺寸的失效概率。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于各个关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率，得到所述集成电路版图文件针对所述光刻工艺的设计良率，包括：

通过以下公式确定所述集成电路版图文件针对所述光刻工艺的设计良率：

其中，Y(chip)为所述集成电路版图文件针对所述光刻工艺的设计良率，j为关键层的层号，Y(layer_j)为第j层关键层经过光学邻近效应修正后的设计良率。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个关键层至少包括离子注入层、多晶硅层、金属层和金属与晶体管互联层中的一种。