[发明专利]碳化硅器件的污染检测方法及污染检测系统在审
| 申请号： | 202211419106.6 | 申请日： | 2022-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN115692231A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 史仁先;王国峰 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘冰 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种碳化硅器件的污染检测方法及污染检测系统，该污染检测方法包括：获取一晶圆结构，晶圆结构包括衬底和形成在衬底第一面的第一扩散层，衬底和第一扩散层均为第一导电类型；将晶圆结构置于待检测碳化硅器件中，并对晶圆结构进行扩散处理以在衬底的第二面形成第二扩散层，第二扩散层为第二导电类型，其中，第一导电类型和第二导电类型中的一者为N型，另一者为P型；在置于待检测碳化硅器件中的晶圆结构形成完第二扩散层之后，对晶圆结构进行电极制作，以得到待测半导体器件；检测待测半导体器件的反向恢复时间；基于反向恢复时间，确定待检测碳化硅器件的污染情况。本申请的方法可以方便快捷地检测碳化硅器件的污染程度进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 污染 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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