[发明专利]耐高压HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211410574.7 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115799330A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种耐高压HEMT器件及其制备方法。耐高压HEMT器件包括：半导体衬底以及在半导体衬底的正面依次层叠设置的漂移层、缓冲层、沟道层和势垒层。栅极设于势垒层上。肖特基金属层设于漂移层上，且与缓冲层的第一侧接触。源极设于肖特基金属层上，且与沟道层以及势垒层接触。中介金属层设于漂移层上，且与缓冲层的第二侧以及沟道层和势垒层接触。漏极设于半导体衬底的背面。本申请通过肖特基金属层与漂移层、半导体衬底可以构造出一个阳极与源极连接且阴极通过半导体衬底与漏极连接的肖特基二极管，当有高电压施加到漏极与源极上时，则该肖特基二极管会被击穿，从而限制漏极与源极之间的电压，提升了耐高压的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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