[发明专利]芯片硅通孔封装结构的制作方法及封装结构

摘要

本发明公开了一种芯片硅通孔封装结构的制作方法及封装结构，制作方法包括：提供芯片，芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有焊垫；在芯片的第二表面形成通孔，通孔暴露出焊垫；在通孔的底壁、侧壁以及芯片的第二表面上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成保护层，保护层包括：于通孔的开口处形成向通孔中轴线方向延伸的凸起结构；刻蚀保护层以及通孔内的绝缘层，暴露出焊垫；在通孔内以及绝缘层的表面形成电连接焊垫的金属层。本发明的芯片硅通孔封装结构的制作方法，能够在硅通孔内底部绝缘层上刻蚀形成内倒角，使得刻蚀后的绝缘层与外接线路层连接的结构更稳固。