[发明专利]一种柔性硅纳米线薄膜的制备方法及其所得产品在审
申请号: | 202211399224.5 | 申请日: | 2022-11-09 |
公开(公告)号: | CN115528143A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 杜伟杰;杨沾;张毅闻;石旺舟 | 申请(专利权)人: | 上海师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京知艺互联知识产权代理有限公司 16137 | 代理人: | 孙一方 |
地址: | 200234 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性硅纳米线薄膜的制备方法及其所得产品,属于柔性硅材料技术领域。所述制备方法,包括如下步骤:1)将清洗、干燥后的硅基底沉积银纳米颗粒;2)将表面包覆银纳米颗粒的硅基底进行第一次刻蚀,形成纳米线阵列;3)将第一次刻蚀后的硅基底进行清洗后进行第二次刻蚀,蚀刻后在硅纳米线阵列中产生一条水平裂痕;4)将粘性柔性衬底粘于二次刻蚀后的硅纳米线阵列表面,撕下得到柔性硅纳米线薄膜。本发明提供的方法操作简单、耗时短,成本低,硅纳米线阵列便于大面积转移到柔性基板上,且转移率高。制备得到的柔性硅纳米线薄膜吸光效果好。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 纳米 薄膜 制备 方法 及其 所得 产品 | ||
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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