[发明专利]一种硅基光交换芯片的光电扇出结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202211328327.2 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115657226B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王敬好;张瑾;胡辰;张萌徕;张潜;储涛 | 申请（专利权）人： | 之江实验室 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法，包括：在基片表面固定芯片，芯片端口包括光栅耦合器和电学焊盘；在基片上表面形成衬底层，对衬底层进行抛光至芯片上表面漏出，沉积下包层，在下包层上沉积芯层；在芯层上刻蚀光波导阵列和扇出端光学端口；在光波导阵列、扇出端光学端口和未沉积芯层的下包层上表面沉积上包层，利用灰度工艺从上包层表面挖出斜面，利用刻蚀工艺在上包层上挖出直通孔，使得电学焊盘上表面露出；然后在上包层表面和电学焊盘上表面沉积金属层；对所述金属层表面进行抛光、刻蚀得到电学重布线层。本发明还公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法制备得到的硅基光交换芯片光电扇出结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基光 交换 芯片 电扇 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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