[发明专利]深紫外LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211322632.0 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115566118A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法，包括：外延结构，所述外延结构包括依次堆叠设置的衬底、N型层、有源发光层、P型层和P型接触层，所述P型层为光反射性的P型层，所述外延结构形成有自所述P型接触层延伸至所述N型层的通孔，所述外延结构还包括覆盖所述通孔侧壁的绝缘介质层和覆盖至少部分所述绝缘介质层的第一导电层，所述第一导电层电连接所述通孔底部的所述N型层；所述外延结构还包括N型电极和P型电极，所述N型电极电连接所述第一导电层，所述P型电极电连接所述P型接触层；基板，所述外延结构设置在所述基板上，且所述衬底背向所述基板。通过采用倒装芯片设计，高反射电极可以进一步提高UVC光的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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