[发明专利]离子注入方法、离子注入装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211315862.4 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116053106A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 石桥和久;弓山敏男 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304;H01L21/265 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提高离子注入工序中的生产率。离子注入方法包括如下步骤：根据第1扫描信号生成第1扫描射束；在多个测定位置，利用射束测定装置测定第1扫描射束的射束电流；根据经测定的射束电流的时间波形和确定为第1扫描信号的扫描指示值的时间波形计算射束电流矩阵；通过对经测定的射束电流进行时间积分，计算第1扫描射束的第1射束电流密度分布；根据第1射束电流密度分布，校正射束电流矩阵的各成分的值；及根据经校正的射束电流矩阵，生成用于实现作为目标的射束电流密度分布的第2扫描信号。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 装置 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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