[发明专利]离子注入方法、离子注入装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过使光斑状离子束根据第1扫描信号沿规定方向进行往复扫描来生成第1扫描射束；

在所述规定方向上不同的多个测定位置，利用射束测定装置测定所述第1扫描射束的射束电流；

根据由所述射束测定装置测定的射束电流的时间波形和确定为所述第1扫描信号的扫描指示值的时间波形，计算射束电流矩阵，所述射束电流矩阵将相对于在所述规定方向上不同的多个位置及多个扫描指示值的射束电流值作为成分；

通过对经测定的所述射束电流进行时间积分，计算所述第1扫描射束在所述规定方向上的第1射束电流密度分布；

根据所述第1射束电流密度分布，校正所述射束电流矩阵的各成分的值；及

根据经校正的所述射束电流矩阵，生成用于实现在所述规定方向上的作为目标的射束电流密度分布的第2扫描信号。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，还包括根据与所述射束测定装置的射束电流测定相关的参数，校正所述射束电流的时间波形的步骤，

根据经校正的所述射束电流的时间波形计算所述射束电流矩阵。

3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，

根据所述射束测定装置的所述规定方向的测定宽度，校正所述射束电流的时间波形。

4.根据权利要求2或3所述的离子注入方法，其特征在于，

根据所述射束测定装置的射束电流测定电路的时间常数，校正所述射束电流的时间波形。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

通过使所述射束测定装置向所述规定方向移动，在所述多个测定位置测定所述射束电流。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述射束测定装置包括配置于所述规定方向上不同的位置的多个法拉第杯。

7.根据权利要求5或6所述的离子注入方法，其特征在于，还包括使所述射束测定装置沿所述规定方向进行往复移动的步骤，

所述多个测定位置包括多个第1测定位置和多个第2测定位置，

所述射束电流在所述往复移动的去路中在所述多个第1测定位置被测定，在所述往复移动的回路中在所述多个第2测定位置被测定。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

计算所述射束电流矩阵的步骤包括根据相对于所述多个测定位置的射束电流值的成分，计算相对于与所述多个测定位置不同的多个补充位置的射束电流值的成分的步骤。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

计算所述射束电流矩阵的步骤包括根据确定为所述第1扫描信号的扫描指示值的时间波形，将所述射束电流的时间波形转换为相对于所述扫描指示值的射束电流的波形的步骤。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第1扫描信号的所述扫描指示值的时间变化率不均。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第2扫描信号根据第1评价值生成，所述第1评价值用于评价根据经校正的所述射束电流矩阵及所述第2扫描信号计算的射束电流密度分布与所述作为目标的射束电流密度分布之间的差异。

12.根据权利要求11所述的离子注入方法，其特征在于，

所述第2扫描信号还根据第2评价值生成，所述第2评价值用于评价所述第2扫描信号中的所述扫描指示值的时间变化率的变化量。