[发明专利]基板的处理方法在审
| 申请号： | 202211303665.0 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN116564801A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 慎志轩;吴雨珊 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H10N97/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种基板的处理方法。该方法包括下列步骤：提供一基板，其包括一牺牲层和一绝缘层；形成一多晶硅硬掩模于该绝缘层上；通过该多晶硅硬掩模中的多个开口蚀刻该绝缘层和该牺牲层以形成多个通道；沉积一金属膜和一钝化膜于该多晶硅硬掩模上和这些通道中；进行一第一移除制程以移除该位于多晶硅硬掩模上方的部分该钝化膜和该金属膜；进行一第二移除制程以移除通过该钝化膜和该金属层暴露出来的部分该多晶硅硬掩模；以及进行一第三移除制程以移除该多晶硅硬掩模以及该钝化膜和该金属膜围绕该多晶硅硬掩模的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211303665.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：支撑柱组件和车辆
- 下一篇：一种无铬钝化剂及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
