[发明专利]基板的处理方法

权利要求书

1.一种基板的处理方法，包括：

提供一基板，其包括一牺牲层和堆叠于该牺牲层上的一绝缘层；

形成一多晶硅硬掩模于该绝缘层上；

蚀刻通过该多晶硅硬掩模的多个开口暴露出来的该绝缘层和该牺牲层以形成多个通道；

沉积一金属膜于该多晶硅硬掩模上和所述通道中；

沉积一钝化膜于该金属膜上；

进行一第一移除制程以移除位于该多晶硅硬掩模上方的部分该钝化膜和该金属膜；

进行一第二移除制程以移除通过该钝化膜和该金属膜暴露出来的部分该多晶硅硬掩模；以及

进行一第三移除制程以移除该多晶硅硬掩模和该钝化膜和该金属膜围绕该多晶硅硬掩模的部分。

2.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该钝化膜包括氧化物并且在该第一移除制程、第二移除制程、第三移除制程期间保护该绝缘层和该牺牲层不被移除。

3.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该第一移除制程使用一制程气体，其包括三氯化硼(BCl₃)、氯(Cl)、和四氟化碳(CF₄)的一混合物。

4.如权利要求3所述的基板的处理方法，其中三氯化硼(BCl₃)与氯(Cl)与四氟化碳(CF₄)的一比例为2:1:1。

5.如权利要求4所述的基板的处理方法，其中该第一移除制程是在50毫托的一压力下进行。

6.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该第二移除制程使用三氯化硼(BCl₃)和氯(Cl)作为反应气体。

7.如权利要求6所述的基板的处理方法，其中三氯化硼(BCl₃)与氯(Cl)的一比例为1:1。

8.如权利要求7所述的基板的处理方法，其中该第二移除制程是在10毫托的一压力下进行。

9.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该第二移除制程使用溴化氢(HBr)作为反应气体。

10.如权利要求9所述的基板的处理方法，其中该第二移除制程是在50到80毫托的一压力下进行。

11.如权利要求9所述的基板的处理方法，其中该第二移除制程在1500瓦的一功率、200伏的一偏置电压、和50％的一负载循环下进行。

12.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该第三移除制程使用氯(Cl)、氧气(O₂)、和四氟化碳(CF₄)作为反应气体。

13.如权利要求12所述的基板的处理方法，其中氯(Cl)与氧气(O₂)与四氟化碳(CF₄)的一比例为20:1:1。

14.如权利要求12所述的基板的处理方法，其中该第三移除制程是在小于20毫托的一压力下进行。

15.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中包括氧化物的该钝化膜的制作技术包括一原子层沉积制程。

16.如权利要求1所述的基板的处理方法，其中该金属膜包括难熔金属和氮化物。