[发明专利]异质结晶硅电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202211298130.9 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN116013997A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 霍亭亭;张学玲;陈达明 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京正桓知识产权代理事务所(普通合伙) 11979 | 代理人： | 刘金凤 |
| 地址： | 213001 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种异质结晶硅电池及其制备方法，其中，异质结晶硅电池包括N型硅基体、N型硅材料层和P型硅材料层，N型硅基体的正面和背面均设有本征非晶硅层；N型硅材料层连接于正面的本征非晶硅层上，N型硅材料层上依次层叠有第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层，且第一透明导电膜层、第二透明导电膜层和第三透明导电膜层的掺杂浓度依次递增，第三透明导电膜层上设有多个间隔设置的镂空部，第三透明导电膜层上连接有正面电极；P型硅材料层连接于背面的本征非晶硅层上，P型硅材料层上层叠有背面透明导电膜层，背面透明导电膜层上连接有背面电极。本发明能够提高电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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