[发明专利]制造三维存储器的方法及三维存储器在审
| 申请号： | 202211270847.2 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115623784A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张坤;刘雅琴;吴林春;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H01L21/28;H01L29/423;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种制造三维存储器的方法及三维存储器。该方法包括：形成衬底结构；在所述衬底结构上形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠的第一绝缘层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底结构的栅极间隙；以及经由所述栅极间隙对所述堆叠结构进行氧化处理，以改变所述堆叠结构的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 三维 存储器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211270847.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
