[发明专利]制造三维存储器的方法及三维存储器

权利要求书

1.一种制造三维存储器的方法，其特征在于，包括：

在多晶硅层的第一表面上形成堆叠结构；

形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述多晶硅层的栅极间隙；以及

经由所述栅极间隙对所述堆叠结构进行氧化处理；

其中，在对所述堆叠结构进行氧化处理的步骤之前，所述方法还包括：

对所述多晶硅层进行处理，使所述多晶硅层的表面的至少部分包括有Si-N键。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述多晶硅层进行处理的步骤在所述形成堆叠结构的步骤之前，并包括：

对所述多晶硅层的所述第一表面进行处理，使所述第一表面包括有所述Si-N键。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述栅极间隙延伸至所述多晶硅层，以及

其中，对所述多晶硅层进行处理的步骤在形成所述栅极间隙的步骤之后，并包括：

经由所述栅极间隙对所述多晶硅层进行所述处理以使所述多晶硅层的暴露于所述栅极间隙的表面包括有所述Si-N键。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述多晶硅层进行处理包括：

利用氨气处理所述多晶硅层以在所述多晶硅层的表面的至少部分形成所述Si-N键。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，

其中，在对所述堆叠结构进行氧化处理的步骤之后，所述方法还包括：

去除所述牺牲层形成牺牲间隙；以及

在所述牺牲间隙内形成栅极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括：

在去除所述牺牲层形成牺牲间隙的步骤之后，并在所述形成栅极层的步骤之前，再次对所述堆叠结构进行氧化处理。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，

其中，在对所述堆叠结构进行氧化处理的步骤之前，所述方法还包括：

去除所述牺牲层形成牺牲间隙；以及

在对所述堆叠结构进行氧化处理的步骤之后，所述方法还包括：

在所述牺牲间隙内形成栅极层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化处理为湿法氧化处理或干法氧化处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化处理包括：使所述堆叠结构处于温度范围为650℃～1000℃的氧气氛中，其中，所述氧化处理的时间在12小时以内。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括：

多晶硅层；

堆叠结构，设置于所述多晶硅层的第一表面上；

沟道结构，贯穿所述堆叠结构并延伸至所述多晶硅层；以及

栅极间隙结构，贯穿所述堆叠结构和所述多晶硅层；

其中，所述多晶硅层的表面的至少部分包括有Si-N键。

11.根据权利要求10所述的三维存储器，其中，

所述多晶硅层的所述第一表面包括有所述Si-N键。

12.根据权利要求10或11所述的三维存储器，其中，

所述多晶硅层的面对所述栅极间隙结构的表面包括有所述Si-N键。