[发明专利]以碳纳米管为沟道的MOS变容管及制备方法在审
| 申请号： | 202211269092.4 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115666137A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘一凡;张志勇 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K10/10 | 分类号： | H10K10/10;H10K85/20 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 韩德凯;李伟波 |
| 地址： | 100195 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了以碳纳米管为沟道的MOS变容管，包括：MOS结构，MOS结构包括栅电极和栅介质；以及半导体性的碳纳米管薄膜，半导体性的碳纳米管薄膜作为MOS结构的沟道材料；其中，通过调整施加在MOS结构的栅电极上的电压对碳纳米管薄膜的碳纳米管电容进行调制以实现对MOS变容管的总电容的调制。本公开还提供了MOS变容管的制备方法及集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 沟道 mos 变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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