[发明专利]一种等离子体增强MoS2

摘要

本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，具体涉及一种等离子体增强MoS2光电探测器的制备方法，包括以下步骤：首先从块状MoS2上机械剥离出MoS2薄膜，并转移至Si/SiO2衬底上，采用磁控溅射在MoS2薄膜镀Cr/Au电极；采用磁控溅射在Si/SiO2基板镀一层Au薄膜，之后经过600‑800℃真空退火，使得Au薄膜形成均匀的Au纳米颗粒；在金纳米颗粒上旋涂PMMA薄膜，去掉SiO2，之后转移至Au电极上，去掉PMMA，即可制得等离子体MoS2光电探测器；本发明方法具有工艺简单，可控的优点，不需要严苛的生长环境，对于实现高灵敏度可见光通信用光电探测器器件具有重要意义。