[发明专利]一种等离子体增强MoS2

权利要求书

1.一种等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、含Cr/Au电极器件的制备

从块状MoS₂上机械剥离出MoS₂薄膜，并转移至Si/SiO₂衬底上；在所述MoS₂薄膜上覆盖铜网，通过磁控溅射法在MoS₂薄膜上依次镀Cr电极、Au电极，得到含Cr/Au电极的器件；

Au纳米颗粒的制备

采用磁控溅射法在另外的Si/SiO₂衬底上镀一层Au薄膜，之后经过600-800℃真空退火，获得Au纳米颗粒；

S2、Au纳米颗粒的转移

在所述Au纳米颗粒上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，固化，之后去除SiO₂层，获得Au/聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，用水清洗，之后将Au/聚甲基丙烯酸甲酯薄膜转移至S1器件的Au电极上，去除聚甲基丙烯酸甲酯层，制得等离子体增强MoS₂光电探测器。

2.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中，MoS₂薄膜的厚度为20-50nm。

3.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中，Cr电极的厚度为5nm，Au电极的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中，Cr/Au电极和MoS₂薄膜形成欧姆接触。

5.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中，Au薄膜的厚度为2-4nm。

6.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S2中，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯薄膜时，采用的是质量浓度为15％的聚甲基丙烯酸甲酯乳酸乙酯溶液。

7.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S2中，利用BOE溶液腐蚀掉SiO₂层，BOE溶液为氢氟酸和氟化铵按质量比为1：8制成的混合溶液。

8.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S2中，采用丙酮溶解掉聚甲基丙烯酸甲酯层。

9.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中的Si/SiO₂均为晶圆衬底，所述晶圆衬底直径2英寸，SiO₂厚度为300nm，Si厚度为650μm。

10.根据权利要求1所述的等离子体增强MoS₂光电探测器的制备方法，其特征在于，S1中，在制备Au纳米颗粒时，退火时间为5-60min。