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[发明专利]一种透明掩模板及其制备方法和应用-CN202211301150.7在审
发明人：韩斌;王光辉;马淑芳;许并社;穆涵香;刘博;王豆;胡雨 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种透明掩模板及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1、在铜胶带和热释放胶带的中心打圆孔，并孔对孔将热释放胶带和铜胶带贴紧，之后在热释放胶带一侧贴PET胶带，制得待加工样品；S2、采用磁控溅射在S1待加工样品中的PET胶带表面镀导电金属薄膜；S3、采用聚焦离子束对圆孔中心掩模区域的PET胶带进行粗加工至PET胶带切透，得到预设掩模图案的孔，再调整束流对孔进行细加工，得到PET掩模板；S4、腐蚀掉PET掩模板中的导电金属薄膜，即制得透明掩模板；本发明制备周期极短，方法简单，掩模板能多次重复使用，而且透明掩模板对后续的掩模板转移对齐从而制备半导体器件十分便利。
一种透明模板及其制备方法应用

[发明专利]一种等离子体增强MoS2-CN202211268209.7在审
发明人：韩斌;王豆;李国强;马淑芳;许并社;王光辉;穆涵香;刘博 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，具体涉及一种等离子体增强MoS2光电探测器的制备方法，包括以下步骤：首先从块状MoS2上机械剥离出MoS2薄膜，并转移至Si/SiO2衬底上，采用磁控溅射在MoS2薄膜镀Cr/Au电极；采用磁控溅射在Si/SiO2基板镀一层Au薄膜，之后经过600‑800℃真空退火，使得Au薄膜形成均匀的Au纳米颗粒；在金纳米颗粒上旋涂PMMA薄膜，去掉SiO2，之后转移至Au电极上，去掉PMMA，即可制得等离子体MoS2光电探测器；本发明方法具有工艺简单，可控的优点，不需要严苛的生长环境，对于实现高灵敏度可见光通信用光电探测器器件具有重要意义。
一种等离子体增强 mos base sub

[发明专利]晶圆级III-VI族化合物薄膜材料、制备方法和应用-CN202210485849.7在审
发明人：马淑芳;王豆;曹犇;徐阳;张帅;候艳艳;韩斌;穆涵香 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于可见光通信用光电探测器技术领域，公开了一种晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料、制备方法和应用，本发明的晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料包括包括绝缘衬底层，以及绝缘衬底层上依次叠层设置的III‑VI族化合物薄膜层和电极层；III‑VI族化合物薄膜层的化学式为In2X3，且其通过以下步骤设置于绝缘衬底层上：在绝缘衬底层上蒸镀一层In金属层；随后，采用化学气相沉积法，以X粉末为前驱体，将In金属层反应形成In2X3，即获得III‑VI族化合物薄膜层；其中，X为硫族元素。本发明结合了电子束蒸发镀膜和化学气相沉积技术、制备了晶圆级III‑VI族化合物薄膜材料。本发明的方法简单，易于操作。
晶圆级 iii vi 化合物薄膜材料制备方法应用

[发明专利]一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法-CN202110504781.8在审
发明人：韩斌;刘嘉龙;任静娜;王光辉;张文斌;景锐;刘劭洁;王豆;穆涵香;尉国栋;马淑芳;许并社 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法，包括以下步骤；(1)制备SiC纳米线的分散溶液；(2)将步骤(1)得到的溶液放入超声波清洗仪中进行超声分散；(3)清洗硅片；(4)干燥硅片；(5)在步骤(4)干燥后的硅片表面用移液枪滴一滴步骤(2)得到的SiC纳米线分散溶液，再放入真空干燥箱烘干表面水分，找到单根SiC纳米线的样品；(6)将步骤(5)中烘干后的硅片放入FIB设备中，选取SiC纳米线；(7)用聚焦离子束沉积技术在步骤(6)得到的SiC纳米线两端分别制作源漏电极；(8)在硅片背面贴一片Cu箔作为背栅电极，得到SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置。具有制备工艺简单，电极成膜质量更好，器件性能更加稳定的特点。
一种制备 sic 纳米场效应晶体管光电探测装置方法